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ST针对PC BIOS应用推出4 KB存储段粒度的16-Mbit页式可擦除串行闪存

发布时间:2006年12月1日 点击次数:74
来源:eepw   作者:电子产品世界
 
意法半导体(ST)针对PC BIOS应用推出4 KB存储段粒度的16-Mbit页式可擦除串行闪存 

最高50MHz SPI兼容总线,快速页式擦除,标准引脚,M25PE16是参数代码存储的最佳解决方案

意法半导体(纽约证券交易所代码: STM)宣布,M25PE系列页式可擦除串行闪存产品新增一个段粒度4-Kbyte的16-Mbit存储器芯片,该产品是PC BIOS应用以及光驱、数字录音机、网络产品以及机顶盒(STB)等消费电子存储应用的最佳选择。作为ST公司第一款子段粒度4KB的串行闪存产品,M25PE16为存取操作提供一个工作频率最高50MHz的兼容SPI的串行总线。

新产品采用一条四线高速串行接口,而没有使用并行存储器接口,这种设计的优点是可以使用更小的封装和更少的引脚,从而节省成本和电路板空间。该存储器分为32个存储段。每段包含256个存储页,每页256字节宽。此外,每段又分为16个子段,每个子段包含16个存储页。利用页式写入或页式编程指令,存储器一次写入代码或编程最多1到256字节。使用整体擦除命令,一次可以擦除一页、一个子段、一个存储段或全部存储器。精细的擦写粒度使之特别适合存储BIOS参数。

该存储器改进了保护功能,能够防止意外编程和擦除操作。根据不同的应用需求,利用易失性和非易失性混合保护功能,可以通过软件或硬件实现写保护功能。保护粒度是64-KB(段粒度)或者4-KB (位于0段和31段内的子段粒度)。 

M25PE16使用单电源电压,工作电压范围2.7V到3.6V, 工作温度范围-40到+85 摄氏度。产品特性包括可以降低系统功耗的1-microamp的深关闭模式,以及便于设备识别的JEDEC标准双字节电子签名。数据保存期限20年以上,每个存储段可承受100,000次反复擦写。

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