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台积电和中芯国际进军闪存市场 |
| 发布时间:2006年11月28日 点击次数:42 |
| 来源:天极网 作者: |
台积电在台南科技园区200毫米Fab 6 晶圆工厂生产NOR闪存芯片,为了提高产能,明年它还将在300毫米晶圆工厂生产NOR闪存芯片。台积电首席执行官蔡力行(Rick Tsai)表示,明年台积电闪存产品的收入将占到3%至5%。 本周四中芯国际和以色列Saifun半导体公司宣布,将利用Saifun半导体的每单元四比特Quad NROM技术推出8GB储存容量的 NAND芯片,预期2008年新产品投放市场。 Saifun半导体表示,它的Quad NROM技术制造出的芯片储存容量是传统储存单元的二倍,由于简化设计架构,制造成本大幅度降低。 上月份台积电首席执行官明确表示,考虑到闪存将能够使公司获得更多新的收入和利润,台积电对闪存市场很感兴趣。 |
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