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Infineon和佳能合作开发用于0.07微米工艺的157nm光刻系统 |
| 发布时间:2001年6月16日 点击次数:8 |
| 来源:中电网 作者: |
这一合作项目最初将在佳能的宇都宫光学产品工厂进行,主要是在实际的生产设备上收集开发所需的工艺数据,但佳能也可从它的氟化氩激光光刻机上吸取有用的数据。然后,随着佳能第一代F2曝光系统在2003年第2季度交付Infineon使用,这一项目将移至Infineon的工厂继续进行,直到2004年底。Infineon称它将用这种157nm的光刻设备来生产内存和逻辑控制产品。 这两家公司都认为这一合作可以充分地将佳能的光刻技术和Infineon的半导体制造技术融合在一起,从而制造出最出色的光刻设备。对Infineon而言,157nm的光刻技术对它的发展至关重要,它将会充分配合佳能的研发工作,向这一项目提供自己的专有技术以及人力资源。 |
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