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IBM拉力硅将集成电路速度提升35％ |
| 发布时间:2001年6月13日 点击次数:6 |
| 来源:中电网 作者: |
这项拉力硅技术将突破摩尔定律的束缚,它不需要缩小晶体管的尺寸就能制造出更高性能的集成电路。IBM声称2003年就将在自己的产品中使用这一技术。 拉力硅技术在沉积硅原子时使它们之间的距离比正常情况大一些,这些硅原子就能将下层的原子也拉开一些,这就形成了拉力硅。在这种硅中,电子所受到的阻力要小一些,因而运行速度就会快出约70％,所以就有可能制造出快35％的集成电路。 目前,IBM在集成电路制造方面已经有了拉力硅、铜芯片、绝缘体硅芯片、硅锗合金以及低温材料等几项领先技术。IBM声称,这些技术将使它在业界保持1～2年的领先地位。 |
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