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Altera采用TSMC的0.13微米铜互连工艺

发布时间:2001年3月27日 点击次数:8
来源:中电网   作者:
 
Altera公司日前宣布成功开发出基于0.13微米所有层铜(all-layer copper)工艺的高密度PLD测试芯片。与现有的采用0.18微米工艺制造的APEX 20KE器件相比,采用新型工艺制造的新一代产品速度能提高50%。

借助这种结合了0.13微米晶体管和0.13微米所有层铜互连技术的先进工艺,Altera可以向客户提供当今PLD市场上密度最高的、性能最好的和成本最低的产品。Altera计划采用TSMC的0.13微米全铜工艺制造新一代产品,预计今年底可向市场供货。


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