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SONY、东芝携手开发45纳米微细半导体… |
| 发布时间:2004年7月21日 点击次数:33 |
| 来源:中电网 作者: |
S0NY与东芝日前宣布,将携手合作、共同开发45纳米微细半导体制程技术。两家公司已于2001年起共同开发采用硅基板的65纳米制程技术,目前已开始引进生产设备,准备进行试产。此次则继65纳米之后,进一步合作开发更精密的45纳米制程技术。 根据双方的协议,两家公司将于2005年度结束前,共计投入20断2日圆左右的研发经费。研发业务将于东芝位于横滨的“Advanced Microelectronics Center”以及东芝大分厂进行。双方合计将投入150名技术人员。 目前SONY、东芝正与SCE(50ny Computer Entertainment)及美国IBM合作开发采用SOI(silicon on insulator)基板的65纳米制程技术,先前发表的新世代微处理器“CELL”,便计划采用65纳米的SOI技术量产。目前正于东芝大分厂SCE长崎厂引进生产设备,预定于2005年正式开始试产。 本文摘自《集成电路应用》 |
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