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美国新型晶体管速度达845GHz |
| 发布时间:2006年12月16日 点击次数:48 |
| 来源:新浪科技 作者: |
除了新型材料外,这种晶体管的制造工艺也更为精良,基部仅有12.5纳米。 伊利诺大学Holonyak教授职位(新浪科技注：1962年美国通用电气公司的Holonyak博士发明了世界上第一支发光二极管,即LED)的Milton Feng指出：“新型晶体管利用了伪晶基部和集电极区域的坡度效应。”利用新研发的装置,他宣称晶体管已趋近太赫兹(THz,即1000GHz)的“圣杯”。 该校研究生William Snodgrass说：“通过垂直缩小装置,我们减小了电子的运动距离,故晶体管频率更高。且集电器的横截面也有减少,所以晶体管充放电的速度也加快了。” 在本周IEEE国际电子设备会议上,麻省理工学院电气工程和计算机科学教授Jesús del Alamo介绍了砷化铟镓(InGaAs)晶体管技术。流经新晶体管的电流量相当于目前最先进的硅晶体管的2.5倍,更大的电流量是快速运行的关键。 Alamo认为,砷化铟镓晶体管技术目前还处于幼年时期,砷化铟镓比硅更容易破损,难以大批量生产。但他预计该技术在10年内将会快速发展,并极大超过硅技术。在未来10年至15年,从尺寸和性能上讲硅晶体管的发展将达到极限。 在今年6月,IBM与佐治亚理工学院成功使一颗芯片运行在500GHz,其时温度为-268℃,这也刷新了硅锗芯片的速度记录。此项实验是探索硅锗(SiGe)芯片速度极限计划的一部分,这种芯片类似于标准的硅基芯片,但是它含有锗元素使得芯片的功耗更低,性能更佳。 硅锗芯片技术已经较为成熟,除IBM外,摩托罗拉、Airgo Networks和Tektronix等公司已在其产品中使用这项技术。 |
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