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韩国60纳米DRAM内存明年将量产 |
| 发布时间:2006年12月28日 点击次数:50 |
| 来源:eNet硅谷动力 作者: |
这种1GB和2GB高性能内存的运行速度是800MHz,并已经英特尔公司校验。Hynix公司强调,随着60纳米级工艺的改进,与第一代80纳米技术相比,1GB DRAM内存的制造成本有望降低50%。 Hynix公司说,这种1GB尺寸的封装结果可使公司制造降低成本的4GB或更高容量内存。因为较小的封装尺寸可制造出平面双排内存,不再需要在某些模块中堆积组件,从而降低了内存生产的整体成本。 |
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