华邦电子日前推出据称是目前市场上最大容量的W96系列Pseudo SRAM,符合CellularRAM 1.5G标准,容量256Mb,低工作电压/输出入电压1.8V,频率高达133MHz。

    因手机的功能日异月新,新的功能陆续的推出,如彩色图片浏览、JAVA游戏下载、数字相机模块搭载等,使得手机内存中的RAM buffer需要量大增。并且内存容量须求的提升,促使Pseudo SRAM成为数据暂存部份不可或缺的内存,近年来更是彻底取代传统6T SRAM在手机上的地位。

    Pseudo SRAM具有大内存容量、低成本、高频率速度、低功率消耗的优点。在许多通信应用领域,现在需要成本更低、容量更大的低功率内存。而未来的Pseudo SRAM产品将会以更具吸引力的价格,提供更大容量和更低功率,满足这些市场的需求。

    Pseudo SRAM是由DRAM macro core+SRAM Interface之架构所组成。DRAM macro core是采取传统DRAM为核心,memory cell由1 Transistor+1 Capacitor所组成;SRAM Interface则设计与传统SRAM特性兼容的架构。Pseudo SRAM设计了一个on-chip refresh circuit,外接的接口则采用SRAM的接口,以增加读取速度并降低使用者在设计上的困扰。在工艺上Pseudo SRAM可以使用现有的DRAM的制程,记忆体的大小已可缩小至110nm及90nm的工艺,大幅降低Pseudo SRAM的成本,低成本(Cost over Mb)已成为Pseudo SRAM的最主要的利器。

    Pseudo SRAM具有下列的特色：

    ·大的内存容量(16Mb~256Mb)
    ·高的频率速度(133MHz)
    ·较小的Die size(1T Cell)
    ·较低的Power consumption
    ·相容于DRAM工艺
    ·On-chip refreshing circuit针对DRAM记忆体中的电容器需要被周期性地充电以保持数据完整, 降低使用者在设计上的困扰。

    Pseudo SRAM在现行市场中有三个标准,除韩国三星电子自有标准及日系厂商采用COSMO外,市场上最普遍的为CellularRAM联盟的CRAM 1.0G/1.5G/2.0G。华邦电子Pseudo SRAM产品规格含盖COSMO及CRAM,产品线完整。