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PConline广州12月25日东芝继在第四季度利用三星NAND型MLC制程闪存产能投产不顺而在市场上四处活跃,全力为自己产品打造舆论优势后,日前再度放言将在后年将大量增加NAND型闪存产能,期待2008年的最终产能能够比今年年底增长2倍以上,此言一出引起业界一阵轰动,有业内人士评论称,大家都在扩产备战,未来NAND型闪存供给情况将不可避免面临过剩局面,产业利润很快会被稀释。
根据东芝半导体负责人室町正志表示,东芝期待在2008年年底产较今年年底增长2倍多,达到月产30万片12寸晶圆的目标。为了达成这个目标,东芝将投入大量资金全力扩建12寸晶圆厂产能,明年下半年已经铁定增加一座12寸晶圆厂。由于资源已经全力集中在上游扩产,因此东芝将下游的工艺流程交给其他厂商进行代工。
在大陆以1GB SD卡跌破100元为标志性事件的闪存降价风劲吹下,由三星、东芝、现代以及IM FLASH（英特尔NAND型闪存合资厂）所引发的增产积累高库存的影响,已经日益明显。室町正志还表示,明年一月份东芝的65纳米工艺制程将会正式上路,生产16GB的NAND型闪存,到了明年7月将会竣工Fab4晶圆厂。届时东芝“弹药充足”,有希望在后年达成产能增长2.5倍的目标。
由于东芝大幅扩产,而三星的MLC制程依然在逐步理顺中,因此双方在产能上的差距在第四季度并无出现大幅拉大迹象。
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