最新L系列HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性,因此无需在ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管,减少了元件数目,节省了电路空间。

新器件有别于采用硬开关器件的桥式或功率因数修正电路,其内置本体二极管常处于活跃状态,并可承载工作周期中部分电流,加强了系统可靠性。当内置本体二极管处于通态时启动MOSFET,实质上便可消除ZVS电源设计导通损耗。

IR中国及香港销售总监严国富先生表示："IR全新L系列MOSFET能大大降低开关及整体损耗,可用来设计在更高频率下工作的电源,减小被动元件尺寸并增加功率密度。"

L系列器件内的本体二极管之最大逆向恢复时间少于250ns,在电流更低的器件中时间更短。较短的逆向恢复周期确保内置本体二极管可在工作关断过程中发挥效益,在引入高压前从导通状态彻底恢复至阻断状态。

严国富先生又称："大部分情况下,全新L系列MOSFET均提供更高的雪崩额定值以及经改良的栅-源电荷及栅-漏电荷比,既可降低击穿情况,亦能简化驱动电路。"

这些具有快速本体二极管的全新600V HEXFET功率MOSFET现已投入供应。数据表详载于IR网站www.irf.com。