功率MOSFET优化直流-直流转换并降低CPU/GPU 供电、直流－直流转换器及高低端转换中的临界电流水平功耗

日前，全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端开关，如台式机、笔记本电脑和服务器中。

这些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小，降低导电和开关损耗，使电源效率更高。

安森美半导体PowerFET部副总裁David Garafano说:“为了帮助我们的客户满足特定应用的需要，安森美半导体一直在拓展PowerFET产品系列，以提供业内品种最多的MOSFET。因为安森美半导体有多种生产这些新型MOSFET器件的制造资源，所以我们可以有效地处理突发的需求变化并进一步确保准时供货。”

器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装，而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。

      器件                                  VDS      ID        Rdson @ 10 V     Qg (典型)
• NTD4804N  30 V  117 A  4 mΩ  30 nC
• NTD4805N  30 V  88 A  5 mΩ  20.5 nC
• NTD4806N  30 V  76 A  6 mΩ  15 nC
• NTD4808N  30 V  63 A  8 mΩ  11.3 nC
• NTD4809N  30 V  58 A  9 mΩ  10.7 nC
• NTD4810N  30 V  54 A  10 mΩ  9 nC
• NTD4813N  30 V  40 A  13 mΩ  6.9 nC
• NTD4815N  30 V  35 A  15 mΩ  6 nC

其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装– 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71至0.91美元之间。
 
       器件                     VDS      ID            Rdson @ 10 V     Qg (典型)
• NTMFS4833N   30 V 191 A  2 mΩ  39 nC
• NTMFS4834N   30 V 130 A  3 mΩ  33 nC
• NTMFS4835N   30 V 104 A  3.5 mΩ  25 nC
• NTMFS4836N   30 V 90 A  4 mΩ  19.1 nC
• NTMFS4837N   30 V 74 A  5 mΩ  14.2 nC
• NTMFS4839N   30 V 66 A  6 mΩ  12 nC
• NTMFS4841N   30 V 57 A  7 mΩ  11.9 nC
• NTMFS4741N   30 V 67 A  8 mΩ  15 nC   
• NTMFS4744N   30 V 53 A  10 mΩ  10 nC
• NTMFS4747N   30 V 44 A  13 mΩ  12 nC

更多关于安森美提供的所有功率MOSFET器件的信息，请访问http://www.onsemi.com.cn 或联系Kathleen Van Tyne (电邮地址: k.vantyne@onsemi.com)。