日本富士通公司宣布开发出新型芯片封装技术，能形成超细间距35微米焊点突起和高精度的倒装芯片邦定互连。富士通称，与传统倒装芯片互连相比，这项技术突破提高了大约50倍的连接密度。

倒装芯片邦定对于减小IC贴装面积非常理想，形成互连焊接突起。为了避免焊接突起之间的短路，目前突起的间距大约介于200g1J250微米之间。

该公司声称，新技术采用了电镀方法形成焊接突起。为了减小突起间距，调整光阻分辨率、提高突起高度及获得均匀的外形至关重要。富士通的新技术改进了光阻材料，优化了曝光参数，并开发了光阻图形，精确地控制了电镀电流，因而有可能形成均匀超细间距的突起。此外，还采用了无铅焊料。

本文摘自《集成电路应用》