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美光1GbDDR3内存芯片问世,基于78nm制造即将量产

发布时间:2006年10月27日 点击次数:48
来源:E代电子   作者:
 

    内存性能日益成为电脑游戏、服务器、高性能计算和高清电视(HDTV)等广泛应用的关键。这些应用要处理需要快速、高效访问的大量数据。为提高这些应用的内存性能,美光科技(Micron Technology)近日推出了1Gb双倍数据传输率(DDR)3内存,为这些关键应用提供速度更块、功耗更低、存储密度更大的内存。

    美光科技公司的DDR3产品在400-800MHz下支持800MTps到1,600MTps,是DDR2速度的两倍。在DDR3的最高速度,每秒可传输大约100,000页文档。DDR3供电电压从1.8V降到1.5V,功耗降低高达30%;该内存是用美光的78nm制程制造的。DDR3的上述优点有助于提高众多计算装置的性能。

    市场调研机构IDC公司资深分析师Shane Rau说:“2007年初将出现一些吞噬内存的计算和消费级应用,如微软公司的Vista操作系统。DDR3初期将有助于服务器、笔记本电脑和台式机市场,然后将用于图像和高清电视等消费级应用。”

    美光科技公司的1Gb DDR3元件评估样品将提供给经过挑选的客户,预计明年年初开始生产。美光科技公司的1Gb DDR3元件有多种输出配置(x4、x8和x16),全面相容最新JEDEC DDR3规范。这些元件支持从512兆字节(MB)到4千兆字节(GB)的模组密度和FBDIMM、UDIMM、SODIMM和RDIMM等多种模组形态。2Gb DDR3内存预计明年年初由美光科技公司推出,有助于支持需要更高内存密度的应用。


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