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纳米制程难度加大半导体产品换代放缓 |
| 发布时间:2004年3月7日 点击次数:48 |
| 来源:中电网 作者: |
由欧盟、日本、韩国、美国与台湾半导体产业协会所组成的ITRS,每年开会提出技术蓝图修正。代表成员之一的旺宏资深副总经理暨技术总监卢志远表示,随着纳米技术难度提高,业者投资脚步放慢,为避免全球多数业者跟不上技术时程,导致被淘汰的厄运,2003年技术蓝图确定改为每2年更新一代延长为3年。 台积电逻辑技术发展处协理孙元成介绍该公司大力推动的“浸润式微影技术”是在193纳米波长曝光机的基础上,于光源与晶圆之间加入水,以使波长缩短到132纳米的微影技术,比起目前一般干式微影设备,此技术可支持65纳米、45纳米,甚至到32纳米制程,可说是微影技术的一大突破。 本文摘自《半导体技术》 |
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