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1G多值快闪存储器 |
| 发布时间:2003年12月1日 点击次数:50 |
| 来源:中电网 作者: |
通过采用0.13μm工艺以及用多值的小芯片尺寸而且可进行高速写入的该公司第2代AND型快闪存储器单元[AG-AND（Assist Gate-AND）]等,实现了10Mb/s写入速度,比原来的写入速度高出5倍。由于在单芯片上能用13秒这样的短时间记录下128Mb的数据,所以它适用于高速接收包括移动图像在内的大容量存储信息时的记录媒体。（红兵） 本文摘自《电子与封装》 |
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