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Spansion推出65nm ORNAND闪存 用于手机

发布时间:2007年2月6日 点击次数:108
来源:中电网   作者:
 
闪存供应商Spansion日前发布了65nm MirrorBit ORNAND解决方案样品,针对高端、多媒体手机中的数据存储进行了优化。该样品由Spansion位于美国得克萨斯州奥斯汀的Fab25工厂制造。用于手机的65nm MirrorBit系列产品将于2007年第三财政季度初投入量产。

65nm MirrorBit ORNAND系列闪存的容量为512Mb、1Gb和2Gb,利用这些闪存,手机OEM厂商将能够在新一代手机中提供丰富的多媒体功能,包括数字电视流、高达500万像素的连拍照相技术以及CD质量的音频等。Spansion的多芯片封装(MCP)解决方案将MirrorBit NOR与MirrorBit ORNAND集成在一起,不但提高了启动速度,还能在待机模式下提供优于纯代码映射解决方案的节能功能。

Spansion总裁兼首席执行官Bertrand Cambou表示:“推出65nm MirrorBit ORNAND 系列对Spansion而言是一个重要的技术里程碑,实现了我们每年在技术方面上一个节点的承诺。MirrorBit技术向65nm进军后,不但加强了我们的高端产品,使我们能以更高的容量、更低的成本提供更有价值的解决方案,也为无线客户提供了更多先进的功能,使他们能够制造出更具创新的、高端多媒体手机。”

Spansion 的MirrorBit NOR 闪存与MirrorBit ORNAND互为补充,提供了高读取性能和可靠性。在无线多媒体应用中,MirrorBit ORNAND解决方案具有传统 NAND解决方案的成本优势。65nm MirrorBit ORNAND系列能与Spansion 90nm MirrorBit ORNAND 技术在接口、管脚和软件上兼容。

另外,Spansion还计划将65nm MirrorBit技术应用在MirrorBit NOR和MirrorBit Quad产品中,以不同的容量来满足消费者、工业和数字多媒体内容应用对代码和数据存储的要求。作为Spanion加速技术升级战略的一部分,该公司已经开始在其位于美国加州桑尼维尔的亚微米开发中心(SDC)开始了300mm晶圆的45nm  MirrorBit技术开发工作。首批晶圆有望于2007年第一财政季度推出。Spansion计划于2008年中期由新建的SP1工厂在300mm晶圆上进行45nm MirrorBit产品的量产,并希望尽早在Fab 25和SP1生产65nm产品。

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