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第52153篇:集邦前瞻峰会成功举行 业内人士共论行业热点 |
| 发布时间:2007年11月5日 点击次数:355 |
| 来源:嵌入式开发网 作者: |
对于无线连接的需求对内存市场的推动,移动内存厂商奇梦达(Qimonda)亚太地区消费电子暨移动装置产品营销资深经理章志贤表示,随着无线连接需求的增加,手机对内存的需求越来越复杂与必要,由SRAM 2Mb提升到最新的LPDDR2 1Gb。他预计2005至2010年,移动RAM的年平均复合成长率(CAGR)高达96%,高于DRAM市场的平均成长率53%。他同时透露奇梦达采用75nm工艺的第5代移动RAM样品即将面市。 集邦科技产业研究处副总经理杨雅欣认为,2007年DRAM厂过度扩张,市场供过于求。2008年DRAM厂将面临亏损,标准型DRAM扩张减缓,会陆续退出8寸厂,而70nm将成为成本竞争力的要素。同时,合纵连横的DRAM新策略联盟将兴起。而单机平均内存搭载容量成长方面,预估从2007年底的1.4GB,增长至2008年底的1.7GB。 SSD是本次峰会的热点之一。SSD,Solid State Drive(固态硬盘),是一种使用NAND闪存的驱动装置,用以存储数字数据。与HDD硬盘相比,SSD具有数据可靠性高、耐冲击、功耗低和响应时间短等特点。内存芯片巨头三星半导体深圳代表处Memory Product技术总监崔一兴在演讲中预测,2010年商务笔记型计算机计算机和服务器将占据SSD市场百分比的70%以上。晟碟(Sandisk)资深业务总监崔钊坤预测：“NAND型闪存需求在2006年至2011年将成长高达20倍！” 崔钊坤认为,当SSD(固态硬盘)在笔记本电脑市场渗透率达到20%时,可达3,200万单位出货量。2010年,固态硬盘的产品平均单价(ASP)为100美元,整体市场规模将达到30亿美元。力晶产品策略副总王其国也认为,未来闪存应用以SSD成长最快,他预估在2010年会消耗掉16%左右的全球闪存产出。 力晶半导体2007年宣告将投产闪存产业。王其国向与会者描述了力晶闪存投产规划。力晶将于台湾新竹建立两座12寸、月产能6万片Data Flash厂房(12C/12D)。闪存中的Data Flash 12寸厂,预计2007下半年动土。Data Flash 70nm制程将于2007年第4季开始量产。力晶同步进行50nm及40nm Data Flash的产品研发。 DDR3是内存发展的最新技术趋势,英特尔(Intel)中国区资深技术经理高宇表示：“预计英特尔DDR3平台在2007年与2008年的快速发展将使其价格下降,预计到2009年与2010年,DDR3价格将大幅下降。”他引用奇梦达的数据指出,2007年1Gb是DDR3主流。他预测在2008年DDR3将会占据整体DRAM内存产出10%～15%。 此次活动是集邦科技在深圳举行的第二届内存产业研讨会,集邦科技董事长刘炯朗博士总结说,“深圳的电子信息产业规模、出口额连续10多年高居全国大中城市首位。借着高交会期集邦高新技术产业前瞻峰会可以为内存及业界人士提供一个最佳的交流机会。”
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