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三星公布50nm 16Gb NAND闪存芯片样品 |
| 发布时间:2007年1月19日 点击次数:100 |
| 来源:mydrivers 作者: |
韩国三星电子准备在今年第一季度大规模量产16Gb NAND闪存芯片。三星电子的50nm工艺的16Gb NAND闪存芯片,将内建CTF架构,在提升产率同时改进闪存芯片性能。三星电子表示,50nm工艺的16Gb NAND闪存芯片大批量生产,将加速闪存固态硬盘的研发和普及。 在去年3月份,三星电子研发出32GB的NAND闪存固态硬盘。三星电子表示,2010年市场对闪存固态硬盘市场价值将达45亿美金。 |
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