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第50386篇:ST与IBM将合作开发32/22纳米CMOS制程技术 |
| 发布时间:2007年8月13日 点击次数:700 |
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ST与IBM的合作协议还包括核心的bulk CMOS技术,和具增值性的衍生系统单芯片(SoC)技术。根据协议,ST和IBM将合作开发IP模块和平台,能够加速采用这些技术的系统单芯片组件设计。 作为此协议的一部分,双方将分别在对方公司的设施内成立一个技术开发小组。在纽约East Fishkill和Albany的IBM半导体研发中心,ST将设立一个bulk CMOS技术研发小组;同时,在法国Crolles的ST 300mm晶圆研发及制造中心,IBM也将成立一个研发小组,两家公司将合作开发各种加值性的衍生技术,如嵌入式内存和模拟/RF组件。这些技术可广泛地应用于消费电子、服务器市场和无线应用领域,如手机和全球定位系统产品。 ST将加入一个由许多从事半导体制造、开发和技术的公司所共同组成的联盟,合作的目的是为了解决制造更小、更高速及更具成本效益的半导体组件所遭遇的设计复杂性及先进制程开发需求等议题。在这个由6家公司组成的IBM CMOS技术联盟,每个成员公司都享有优先使用技术、参与技术定义、利用合作的研发资源来解决问题,以及使用共同的制造基地等权利。同样,IBM和ST将共同合作扩大ST位于法国的300mm晶圆厂开发网络,让其它有兴趣开发增值性衍生SoC技术的IBM CMOS技术联盟成员能够加入。 通过参加成员之间资源共享的开放式生态系统,技术联盟中的公司加速了创新的速度,并降低了相关的成本,这些成果来自于对个别研发优势和IP的有效整合。为了面对设计及制造出更快速、更低价及更佳的半导体组件等挑战,更多的联盟成员投入更多的资源,而随着联盟的不断扩大,这种合作关系的所带来的好处将会更为明显。 双方合作开发的制程将在ST位于法国Crolles的300mm晶圆制造厂量产,同时也会在包括IBM等通用平台(Common Platform)制造商的300mm晶圆厂内生产。 放眼更长远的合作前景,IBM、CEA-LETI(位于法国Grenoble)和ST计划在未来制程技术的议题上展开合作,此合作的基石建立在CEA-LETI公共研究机构与ST长期以来成功的合作关系之上。 而有关于这项合作案的财务细节并未公布。
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