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英特尔图谋发展闪存行业 投资台湾闪存厂商

发布时间:2007年3月11日 点击次数:115
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    当地时间本周四,芯片制造商英特尔公司投资分部宣布,它将向中国台湾闪存芯片制造商力成科技(Powertech Technology)公司提供一笔6500万美元的风险投资。力成科技专注于NAND闪存和DRAM 储存芯片的生产。
    
     英特尔投资公司称,为了帮助力成科技公司拓宽其闪存芯片业务运营,英特尔将与其他投资公司向力成科技提供资金投资。 英特尔称,作为力成科技公司最活跃的合作伙伴,英特尔投资分部在这次向力成科技公司进行投资中扮演了主要角色。
     业界分析人士认为,英特尔此次向力成科技提供巨额资金,是闪存芯片制造行业竞争局面出现改观的一个迹象,同时表明力成科技在整个NAND闪存芯片行业的地位正在发生举足轻重的变化。
    
     英特尔公司与美光科技的合作,标志着英特尔公司开始涉足NAND闪存芯片市场。2005年年末,英特尔公司与美光科技宣布进行NAND闪存芯片的研发,并于2006年年初成立了IM闪存科技公司,这使得原本竞争就十分激烈的闪存芯片市场变的更加紧张:除了韩国领头的三星电子、现代半导体外,SanDisk在闪存制造领域内的实力不可小觑。
    
     上周,SanDisk宣布裁员10%,以确保其在当前闪存芯片价格不断下滑的局面依旧保持赢利。SanDisk称在过去的两个月内,NAND闪存芯片的价格下滑了将近50%。
    
    
    


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