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被指侵犯东芝NAND闪存专利,Hynix接受美国ITC调查

发布时间:2007年2月19日 点击次数:137
来源:国际电子商情   作者:
 
    美国国际贸易委员会(ITC)日前表示,它将应日本东芝的请求,调查韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)生产的某些NAND闪存器件的销售与进口情况。
    
    
    ITC表示,东芝声称这些海力士器件的进口与销售违反了1930年美国关税法案,并且侵犯了东芝的专利权。东芝在1月9日提出起诉,请求ITC发布永久排斥令和永久禁止令。ITC表示,进行调查并不构成对这起案件的是非曲直的断定。
    
    ITC表示,在启动调查45天之内,它将设立一个完成调查的目标日期,并尽早作出最终判决。据ITC,ITC的行政法法官Paul Luckern将在一个听证会之后就本案作出初步判决。


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