作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品,RQG2003是一种用于功率放大器的晶体管,它可以对传输无线LAN终端设备等RF前端功率进行放大。

　　RQG2003的功能总结如下：

　　业界最高的性能水平,有助于实现低功耗产品

　　在5GHz和2.4GHz频段,RQG2003的性能达到了业界的最高水平,如下所述。

　　(a)5GHz频段：6.4dB的功率增益,26.5dBm条件下的1dB增益压缩功率,5.8GHz条件下的功率增加效率为33.6%。

　　(b)2.4GHz频段：13.0dB的功率增益,26.5dBm条件下1dB的增益压缩功率,2.4GHz条件下的功率增加效率为66.0%。

　　这些性能参数是对瑞萨科技目前的HSG2002的显著改善,例如,5.8GHz条件下的功率增加效率大约提高了10%,2.4GHz的功率增加效率大约提高了20%。

　　该性能有助于降低IEEE802.11a兼容的无线LAN设备、数字无绳电话等5GHz频段设备的功耗,也可以降低使用2.4GHz频段的IEEE802.11b/g兼容的无线LAN设备、RF标签读/写机及其他2.4GHz频段应用的功耗。

　　小而薄的无铅封装

　　该器件采用小型表面贴装8引脚WQFN0202(瑞萨封装代码)封装,尺寸为2.0mm×2.0mm×0.8毫米。这种小而薄的无铅封装有助于缩小RF前端传输部分的设计空间。

　　典型应用：

　　无线LAN终端：2.4GHz/5GHz频段(符合IEEE802.11a/b/g标准)

　　RF标签读/写机：2.4GHz

　　数字无绳电话：2.4GHz/5.8GHz。

　　RQG2003样品将于从2007年3月在日本开始供货,单价为105日元(仅供参考)。

　　产品背景>

　　无线设备的持续增长正在使“无处不在的计算”开始成为现实。使用2.4GHz频段的通信系统,尤其是IEEE802.11指定的5GHz频段的应用类型正在不断增加,无线LAN就是一个例子。除了利用移动电话的因特网接入和家庭视听设备之间的传输,被认为是2.4GHz频段的扩展应用领域还包括移动电话的无线LAN能力和物理分布系统的RF标签,而且,人们预期未来这个市场将出现迅速的增长。

　　同时,北美的数字无绳电话市场需要更低的价格和对更高频率的支持。这个成熟的市场对低价位产品有一种迫切的需求,例如,在型号方面就有对低发射功率的需求趋势,这就需要用一个晶体管来取代功率放大器的模块或MMIC。与此同时,主要使用的频段正在从900MHz或2.4GHz频段转变为5.8GHz频段,这就带来了对可以提供高输出、高增益和高效率的5.8GHz频段产品的需求。因此,随着产品价格的不断下降,在性能和价格之间可以形成一种平衡的元件将越来越重要。

　　瑞萨科技早就瞄准了这个市场,开发了和批量生产了HSG系列硅锗功率晶体管和HA系列硅锗MMIC。现在,为了满足市场的最新需求,瑞萨科技又发布了支持2.4GHz频段和5GHz频段的RQG2003高性能硅锗功率晶体管。

　　其他产品细节

　　RQG2003：RQG2003是瑞萨科技第一个采用该公司独特的双沟道结构的产品,其中的沟道隔离和导电沟道是在一个单晶体管区形成的。使晶体管与带有沟道绝缘层的硅衬底隔离,以减少造成高频特性降低的寄生电容(衬底和晶体管之间)。此外,形成的导电沟道可以利用通孔与电极和衬底进行连接,从而减少了由连线压焊引起的电感。

　　利用这种双沟道结构可以实现2.4GHz和5GHz频段功率增益和功率增加效率的显著改善。该器件采用了一种SiGeC工艺,其中的硅锗基极掺杂了碳,同时实现了晶体管图形的优化。与瑞萨科技目前的HSG2002相比,集电极电流密度有所增加,1dB增益压缩功率大约改善了1.5dBm。

　　完全无铅封装：为了保证芯片压焊的可*性和电导性,RQG2003采用了一种最理想的导电银浆,同时采用了Sn-Bi(锡铋)来进行电极电镀,完全实现了无铅化。

　　瑞萨科技计划进一步扩展RQG系列硅锗功率晶体管的LNA(低噪声放大器)RQG1xxx和PA(功率放大器)RQG2xxx阵容,并继续开发RQL系列硅锗MMIC的LNA RQL1xxx和PA RQL2xxx产品,以满足不断发展的市场对丰富产品的需求。