美国英特尔将在07年第1季度内供应90nm PRAM（相变内存）评测样品。该公司闪存产品部门的首席技术官Ed Doller在《日经微器件》主办的“第5届半导体内存研讨会”（1月30～31日）上做出了上述表示。

首先供应NOR型闪存用户

　　PRAM的评测用样品将首先供应手机等采用的NOR型闪存的用户。“作为45nm工艺而言，PRAM将在单元尺寸等方面,比现行的NOR型闪存拥有更优越的成本竞争力 ”(Ed Doller) 。

　　不过，该公司表示并不是为取代NOR型闪存才进行PRAM开发的。“对于集NOR型闪存、NAND型闪存、挥发性高速RAM等所有特点于一身的PRAM，找到其自身的应用领域，是投产的前提条件”。因此，涉足NOR型闪存业务的英特尔将首先向易于合作的NOR型闪存用户提供PRAM样品，以便及时获取用户的反馈信息。

　　英特尔自2000年开始与美国Ovonyx共同致力于PRAM的开发，03年把意法半导体纳入PRAM开发合作企业。关于PRAM的性能，目前已经证实其擦写次数在108以上、数据保存时间为10年以上（85℃时）。