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凌力尔特LTC4355用N沟道MOSFET取代肖特基二极管 |
| 发布时间:2007年5月16日 点击次数:201 |
| 来源:国际电子商情 作者: |
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出的双路理想二极管“或”控制器LTC4355允许在高可用性系统中用N沟道MOSFET取代肖特基二极管,并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二极管“或”电路可降低功耗、减小热耗散及所占用的印刷电路板面积。该器件9V至80V的宽工作电压范围支持具有两个正电源的二极管“或”应用,如12V分布式总线架构,或两个负电源的返回通路,如-48V AdvancedTCA(ATCA)应用。另外,LTC4355监视如下几种类型的故障并分别发出不同的信号：输入电源未进入稳定状态;并行保险丝烧断;MOSFET上的电压高于故障门限。 在ATCA等大功率、高可用性应用中,必须有冗余电源和冗余返回通路,这时“或”二极管的功率和热耗散可能过大,而用MOSFET可组成效率更高的解决方案。LTC4355为外部N沟道MOSFET提供栅极驱动,可实现快速关断以防止反向电流,以及在没有出现振荡的情况下平稳地切换电源。LTC4355正二极管“或”控制器对LTC4354负二极管“或”控制器以及凌力尔特的Hot Swap控制器系列起到了补充作用,这个控制器系列中包括具严格UV/OV容限的LTC4252A和具内部ADC以实现多种监视功能的LTC4261。 LTC4355规定在商用和工业温度范围内工作,采用4mm×3mm 14引线DFN和16引线SOIC封装。该器件有现货供应,以1,000片为单位批量购买,每片起价为2.50美元。 性能概要 取代肖特基功率二极管 控制N沟道MOSFET 0.5us关断时间限制峰值故障电流 宽工作电压范围：9V至80V 平稳切换,无振荡 无反向DC电流 监视VIN、保险丝和MOSFET二极管 16引线SO和4mm×3mm 14引线DFN封装 |
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