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疯狂：NAND闪存今年至少再跌四成 |
| 发布时间:2005年2月17日 点击次数:15 |
| 来源:维库电子市场网 作者: |
市场龙头大厂三星宣布已成功开发出63纳米的8Gb NAND Flash生产技术。而因每片晶圆产出量将因制程微缩而增多二成至三成以上,将再进一步压低芯片价格。与此同时,东芝、美光、Hynix、英飞凌、瑞萨（Renesas）等供货商,本季起也全面性以90纳米投产NAND Flash。 这必将导致闪存在纳米制程中再次掀起腥风血雨,市场竞争将进一步恶化。 其实,在内存市场竞争日趋白热化的时候,厂商为降低成本而采取纳米制程的做法对厂商个体来说,也许不失为一个好办法。但是对于整个闪存市场来说,多出来的产能如何消化？这成为市场更大的难题,似乎跌价是唯一出路,相信随着投入厂商的增多与制程微缩带来的产能提升,在市场需求成长速度不如供给量成长速度的压力下,NAND Flash价格进一步大跌为时不远。 尽管对闪存价格下跌已经有了相当的心里准备,但对于此波纳米制成应用带来的产品价格大跌,现货市场经销商也需要有相当的承受能力。 |
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