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飞思卡尔应用的射频功率性能新标准 |
| 发布时间:2006年7月2日 点击次数:189 |
| 来源:电子产品世界 作者: |
50V VHV6 RF LDMOS技术（第6代高电压射频横向扩散金属氧化物半导体）的开发促成了飞思卡尔的此次扩展。该技术在飞思卡尔广为接受的28V LDMOS技术基础上将工作电压提高到50V,让设计者能够实现更高的功率,超过当前ISM市场上的产品的性能水平。此外,该设备还采用了超模压塑料封装,从而提供了最经济高效的ISM解决方案。 飞思卡尔副总裁兼射频部门总经理Gavin P. Woods表示：“飞思卡尔在蜂窝基础设施射频功率方面处于市场领导地位,同时还开发出50V LDMOS技术,这就使我们具备了得天独厚的优势,能够凭借真正的创新产品,将领导地位扩展到ISM市场。此外,我们还在超模压塑料封装技术领域处于领导地位,这使我们的客户能够开发最经济高效的ISM应用解决方案,比如等离子发生器和磁共振成像（MRI）系统。” 提高性能 飞思卡尔提供的ISM旗舰产品为MRF6V2300NB,它是功率为300W的50V LDMOS晶体管,其工作频率为450 MHz,采用TO-272-WB-4超模压塑料封装制造。该设备能够产生27dB的可观增益,效率高达68%。凭借该产品的这种出色性能,ISM系统的设计者可以消除增益级（gain stages）,从而降低总系统成本,减少占用板卡面积。除了出类拔萃的性能以外,该设备还具有极高的稳定性,其耐用容错性能达到10:1 VSWR。 六款针对ISM的创新产品 飞思卡尔正在扩展其产品到两个不同的ISM频率市场：HF/VHF市场和2.45 GHz的ISM频带市场。为了达到10-450 MHz的HF/VHF频率间隔要求,飞思卡尔提供了三种采用VHV6 50V LDMOS技术的晶体管。这些晶体管包括旗舰产品MRF6V2300NB、MRF6V2150NB（功率150W,效率69%, 增益25dB）及MRF6V2010NB（功率10W,效率68%,增益25dB）。对于2.45 GHz的ISM频带,飞思卡尔提供三种使用28V LDMOS技术的设备：MRF6P24190H（功率190W,效率46%,增益13dB）、MRF6S24190H（功率140W,效率46%,增益13dB）和MW6IC2420NB（二级20W,效率21%,增益21dB）。 产品供货信息 上述所有六种ISM设备现在已经提供样品。另外,所有三种2.45 GHz的设备已经投产。MRF6V2150NB计划于2006年8月完全投产,而MRF6V2300NB和MRF6V2010NB则计划于2006年第四季度完全投产。 欲了解飞思卡尔的最新射频功率设备的详细信息,请访问：www.freescale.com/rf。 关于飞思卡尔半导体 飞思卡尔半导体(NYSE: FSL,FSL.B)是全球领先的半导体公司,为汽车、消费、工业、网络和无线市场设计和生产嵌入式半导体产品,并于2004年7月公开上市。公司总部位于德州奥斯汀,在全球30多个国家和地区拥有设计、研发、制造和销售机构。飞思卡尔半导体是S&P 500â成员之一,也是全球最大的半导体公司之一,2005年的总销售额达到58亿美元。www.freescale.com |
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