老古开发网首页
导航:老古开发网首页文章索引文章分类存储器→[SanDisk得东芝相助率先推出2GB的microSD卡]
| -文章搜索 - 最新文章 - |

SanDisk得东芝相助率先推出2GB的microSD卡

发布时间:2006年8月24日 点击次数:314
来源:eNet   作者:王飞
 
自从三星电子公司开始批量生产60纳米制程的8GB多级单元(MLC)NAND闪存芯片之后,存储卡厂商们纷纷将各自microSD存储卡的容量提高到1GB。但是,SanDisk公司在东芝公司的支持下,最近推出了存储容量为2GB的存储卡产品,将其他存储卡厂商都远远地甩在了身后。 

SanDisk公司在7月底正式推出了2GB的microSD存储卡,而估计其他厂商到9月份的时候才可能推出容量为1GB的microSD存储卡。据SanDisk公司称,2GB的microSD存储卡的售价大约为100美元,而现在市场上的2GB的SD存储卡的售价大约在50美元左右。  

由于东芝公司在多级单元NAND闪存的供应上居市场统治地位,因此SanDisk公司可以调节产能来充分利用NAND闪存芯片优势。据市场人士分析,在三星公司推出其60纳米NAND闪存芯片之前,其他厂商是很难提高microSD存储卡的产能的。

欢迎进入老古论坛进行讨论
[存储器] 相关文章:
Dallas Semiconductor 1024位EPROM工作电压可低至2.2V
简介:
  Dallas Semiconductor推出一款工作电压可低至2.2V的1024位EPROM:DS25LV02。这款低电压芯片提供数据存储功能和一个序列号,可理想用于电池包。另外,DS25LV02是DS2502的升级产品,向下兼容现有的DS2502设计。DS25LV02的1024位EPROM配置为4个页面,每页包含32字节,可用于存储电池的特性参数、充电记录、电流和温度参数以及电池包制造商信息。存储器的每一页可单独锁定,以提供修改保护。为了提供进一步的保护,芯片内部唯一的64位序列号可用于电池包识别。      DS25LV02和主机之间的所有通讯都通过1-W......

英特尔AMD战火未歇 决战低端手机NOR闪存
英特尔发布90纳米闪存 破坏与ST协议?
NDAS揭密:剖析NAS的替代品
ARM下一代DDR存储解决方案提高芯片性能
英特尔美光合作展出首款50纳米工艺闪存样品
三星电子面向微软Vista系统 推出4GB闪存硬盘
FM20L08型铁电存储器的原理及应用
三星“暂别”8千兆位NAND闪存,暗自发力4位/cell技术
DDR SDRAM在嵌入式系统中的应用
 
下一个:[通信网络]广达为东芝代工最新3G手机 产品销往欧亚市场
简介:
据市场人士称,广达电脑公司从今年第二季度末开始向东芝移动通信分公司提供3G手机TS 705,预计那些3G手机将在第三季度销往欧洲和亚洲市场。   最初,东芝公司的3G手机产品是由高通公司代工,结果市场反应比预期得情况要好,因此东芝公司才决定增加TS 705手机的订单。   在其他某些海外市场也可以购买到TS 705手机,只是产品的型号不是TS 705,而是TX 62。预计这款手机将在今年第四季度进入台湾市场,建议零售价大约为12000元新台币(约合366美元)。  广达电脑公司同时还是东芝公司最新推出的糖果条型音乐手机TS 608的合同厂商。预计TS 608将随TS ......
 

上一个:[综合电子]芯片、PC厂商及渠道三方推动双核笔记本降价

老古开发网版权所有 2006年9月 asp.Net V2.0 设计:老古
页面缓存:否 执行时间:188毫秒