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三星“暂别”8千兆位NAND闪存，暗自发力4位/cell技术 |
| 发布时间:2006年8月3日 点击次数:339 |
| 来源: 作者: |
据市场调研公司American Technology Research Inc.,三星电子已推迟8千兆位NAND闪存芯片的发货,但该公司正在悄悄地开发一种4位/cell NAND技术。 据American Technology Research Inc.,上述消息是三星在公布第二财季业绩时披露的,显示三星把8Gbit multi-level-cell (MLC) NAND发货期推迟了“一个季度”。 与此同时,三星在扩大其产品组合。American Technology Research的分析师Satya Chillara在一份报告中表示：“三星正在提出自己版本的4位/cell技术,计划在2008年投产。” 三星的技术将与以色列公司M Systems Flash Disk Pioneers Ltd.和Saifun Semiconductors Ltd.,以及其它公司进行竞争。M Systems表示,它预计在2007年初开始大规模生产其最近宣布的x4 NAND闪存元件。 Saifun开发出了一种4位/cell技术,代号为“Quad-NROM”。它已向英飞凌和Spansion等厂商提供这种技术的授权。 |
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