导航: 用户可在线上定制3种标准参考设计 组件编号 规格 输入 输出 输出 交换 半功率 BOM 电力效率 大小 IRPP3637-06A 标准 5V 1.25V 6A 600kHz IR3637ASPbF (SO-8)、IRF8910PbF 全负载80%、 ~1.0 in2 ? 定制 3.0V 至 13.2V 0.8V 至 5.0V 最高至6A 400kHz或600kHz 各式 ? ? IRPP3647-12A 标准 12V 1.8V 12A 400kHz IR3637PbF (SO-8)、IRF7823PbF (SO-8)。可选择移植于S-Can DirectFET MOSFET 全负载84.2%、最高峰85.1% ~1.5 in2 ? 定制 3.0V 至 13.2V 0.8V 至 5.0V 最高至6A 400kHz或600kHz 各式 ? ? IRPP3637-18A 标准 12V 3.3V 18A 400kHz IR3637PbF (SO-8)、IRLR8713PbF (D-Pak)、IRLR7843PbF 全负载87%、最高峰88.8% ~2.0 in2 ? 定制 3.0V 至 13.2V 0.8V 至 5.0V 最高至18A 400kHz或600kHz 各式 ? ?
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩大其myPOWER线上设计服务的覆盖范畴，推出POWIR+芯片组参考设计及经过强化的线上设计服务，简化及加快功率管理电路设计。
首个POWIR+芯片组系列结合了IR3637SPbF和IR3637ASPbF应用调校PWM控制IC，以及其相关、用于计算机运算和高阶消费者应用的单相位同步降压应用之HEXFET MOSFET。IRPP3637-06A、IRPP3637-12A和IRPP3637-18A参考设计分别设有6、12及18安培3种功率水平，在加快设计程序的同时，亦消除了不必要的重复设计步骤。此外，用户也可透过网页http://powirplus.irf.com，为任何标准设计进行修改，定制出专用电路。
IR台湾分公司总经理朱文义表示：：“IR的POWIR+参考设计采用经小心挑选的的功率半导体、被动组件及以特定功率水平为目标的电感器，并将它们安放于经优化的PCB 电路图，提供可预测的电力及散热表现。相比传统的测试电路板，这些参考设计能尽量反映真实电路，为复杂的底电路图、散热设计及装置互动进行最佳化，提供有建设的结果。”
IRPP3637-06A适用于要求减少面积和组件数目的低电流应用，并透过采用IR最新的IRF8910PbF双SO-8 MOSFET来达致目标。IRPP3637-12A则适合中电流应用，以IR新推出的IR7823PbF及IRF7832ZPbF独立SO-8 MOSFET来提升电力及散热效率。IRPP3637-18A就为需要卓越散热表现，但又侧重成本效益的中至高电流应用设计，并为达到要求而采用IR崭新的IRLR8713PbF和IRLR7843PbF D-Pak MOSFET。
当用户按需要定制标准参考设计时，可以调校系统水平的输入以控制主要表现准则的变动，例如电力效率、功率损耗、接点温度、面积大小及用料表成本之取舍。完成后，电路便可马上在线上仿真，接着更可作为一个经全面测试及具特性的设计来订购。有关设计可在3.0V至13.2V的输入电压、0.8V至5.0V的输出电压之间，以及400kHz或600kHz的交换频率上运作。
线上仿真及定制工具现已在网页http://powirplus.irf.com提供。
首个标准POWIR+芯片组参考设计系列现已供货，所有装置及原料皆符合有害物质管制规定 (RoHS)。基本规格如下：
电压
电压
电流
频率
(双 So-8)
最高峰85%
(D-Pak)
IR扩充myPOWER线上设计服务 加入POWIR+芯片组参考设计及网页工具
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