ST ‘打破规则’推出1、2和 4-Mbit串行闪存,满足汽车应用对耐用、宽温度范围的代码存储的需求           

世界最大的半导体制造商之一的意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）今天推出一个新一代串行闪存芯片。新产品密度范围1到4 Mbit,专门为可靠性要求极高的汽车应用而设计。

新的M25P10-A、M25P20和M25P40存储器芯片的密度分别为1Mbit、2Mbit和4Mbit,这三款产品被公认为第一批耐用性和强度都符合汽车环境要求的串行闪存IC。这些产品采用ST的经量产验证的先进制造技术,为汽车应用提供了一个高可靠性的解决方案。这些产品获得了汽车级产品质量证书,并通过了AEC-Q100标准认证。

此外,新产品还经过了ST独有的高可靠性认证流程(HRCF)的测试,保证芯片能够工作在-40℃到+125℃的汽车温度范围,达到汽车的质量和可靠性要求。这种测试流程结合统计工具如SBL (统计箱极限)和PAT(组件平均测试),能够筛选出晶圆和裸片上的早期故障和离群点,达到汽车的零PPM故障率的全可靠性目标。

因为能够在汽车工作温度范围内以最高25MHz的频率维持高速数据存取操作,新产品特别适用于高性能发动机管理、变速箱控制模块和安全应用设备以及车载系统,像仪表板、多媒体显示器和音响系统。选择一个串行闪存产品可以节省应用的空间和成本,因为它们采用极小的封装和4线总线;由于只占用微控制器或ASIC上的几个I/O引脚,新产品进一步降低了成本。

M25P10-A、M25P20和M25P40集成一个标准的4线SPI总线和改进的25MHz数据传输时钟。工作电源电压2.7V到3.6V,具有1μA深省电功能,使整体功耗达到最低水平。数据保存期限至少20年,在整个汽车温度范围内,存储扇区耐擦写循环10,000次。利用分页编程指令,每次可写入存储器1到256字节;擦除操作分为体擦除和扇区擦除。

新产品采用深受市场欢迎的S08窄型封装(150 mils) ,这种封装运用了ST的符合ECOPACK RoHS标准的无铅技术。不同密度的产品之间相互兼容,包括引脚对引脚的板位、软件配置协议和功耗性能,因为这些特性,设计升级到更高密度变得更加容易,应用板设计的灵活性非常优异。