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利用SiO2薄膜台湾大学推出小型压力传感器 |
| 发布时间:2006年2月20日 点击次数:180 |
| 来源:电子产品世界 作者: |
据介绍,此次开发的工艺在传感器部分的薄膜中使用了SiO2(二氧化硅)层,在生产过程中支撑薄膜的牺牲层中使用了金属层,在检测压力的传感器压电电阻中使用了多晶硅。全部均可采用台积电双层多晶硅四层金属的CMOS工艺形成。在SiO2层的一部分中切出孔,并形成过孔,然后就能利用后续的蚀刻工艺去除牺牲层和过孔金属。牺牲层去除后,位于牺牲层下方的硅底板也需进行蚀刻处理,以使压电电阻部分能除压力而变化。金属和硅底板的蚀刻采用的是普通蚀刻材料。 封闭带孔薄膜的工艺使用的是不同于CMOS的其他工艺。具体来说,就是从切孔中填入蛋白质明胶,将薄膜的下部空间填充上。只需利用旋涂法涂布液态明胶即可。通过填充明胶,能够排除外部环境的干扰。压力灵敏度为8.56±0.13mv/V/psi,高于过去的压电电阻型压力传感器。 |
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