赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp.)近日宣布推出首款非易失性SRAM(nvSRAM),该存储器在断电情况下,无需电池就能实现内部数据存储。由于不再需要外部电池,因此Cypress提供的符合RoHS标准的高速器件比其他备选解决方案所采用的封装尺寸更小。nvSRAM理想适用于要求连续高速数据写入且确保非易失数据绝对安全的任何应用,如独立磁盘冗余阵列(RAID)应用、复印机、PoS终端、手持式仪表和消费类电子产品等。

赛普拉斯的nvSRAM采用外部电容上存储的电荷而不是电池供电,从而,我们就可以采用标准PCB组装工艺来制造该器件,从而大大节约成本。该器件最少能保存数据20年之久。nvSRAM具有极短的存取时间(25ns),可提供1MB/3V、256KB/3V、256KB/5V、64KB/5V和16KB/5V等各种配置。该器件具有高度可扩展性,所有配置均采用32引脚SOIC封装,而1MB和256KB版还提供48引脚SSOP封装。

赛普拉斯负责非易失存储器的副总裁Tom Surrette指出：“作为在SRAM和非易失存储器领域长期的领先者,Cypress已占据有利地位。凭借其高速和小型封装,以及其高可靠性和便于集成到客户的制造流程中,nvSRAMs正迅速赢得市场的肯定。”

在RAID应用中,nvSRAM在提供高速数据传输的同时还能确保断电情况下的数据完整性。对复印机而言,nvSRAM提供了较快的数据存取速度,不再需要电池。手持式仪表也受益于nvSRAM提供的数据缓存功能,能快速存取上传到服务器的数据。