英特尔计划于2009年开始推出采用32纳米技术节点的三闸级晶体管。凭借这个新的三维晶体管架构,英特尔希望能够在提高产品性能的同时,降低产品功耗。在夏威夷举行的工艺及元件技术国际会议的前一天,英特尔公布了其研究多年的该晶体管的详细情况。　　

　　据英特尔零部件研究部总监Mike Mayberry透露,英特尔已经成功地把高K电介质、金属栅电极以及应变硅整合到这个新的晶体管中。他说：“到2010年,英特尔将可以开始使用新的三闸级晶体管建造芯片,这种三闸级晶体管与现有65纳米工艺的晶体管相比,要么可以提高45%的速度,要么可以减少35%的总功耗。　　

　　产品在技术上的进步可能会成为产品促销的工具。功效是从大功率服务器到移动膝上型电脑和手持个人数字助理等个人电脑领域里芯片的一个关键卖点。　　

　　英特尔的这项新技术还可能会进一步延伸摩尔定律。Mayberry说：“这将是采用45纳米或更小的32纳米或22纳米工艺生产芯片的一种选择,这给了我们信心,继续把摩尔定律延伸至下一个十年。”　

　　英特尔表示,今年第三季度公司将生产更多的采用65纳米工艺的芯片,2007年公司将向45纳米,2009年将向32纳米工艺移植。