2006年9月18日,奇梦达公司和南亚科技公司今日宣布已成功获得75纳米 DRAM 沟槽式(Trench)技术之验证,最小之制程尺寸为70纳米, 第一个75纳米之产品将为512Mb DDR2 内存芯片。此项新的技术平台和产品是双方共同在德国德累斯顿(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇梦达开发中心所开发的。目前已经在奇梦达的德累斯顿十二吋厂生产线开始此项新一代 DRAM技术之试产。

　　负责奇梦达的市场和运作,也是管理委员会的委员之一的赛佛(Thomas Seifert)表示：「在取得75纳米 DRAM 沟槽式技术能力并推出第一项相关产品后,在技术布局上,我们已达到一个重要的里程碑。此项75纳米技术平台能够满足即将出现的各种高速接口所需之效能需求,例如在 DDR3或绘图产品方面的应用。」

　　南亚科技公司全球业务营销副总兼发言人白培霖博士表示：「此项新产品所采用的新技术,最小之尺寸已达到目前最先进最微小的70纳米,此新技术,将可获得更高的效能和密度,例如1Gb/ 2Gb DRAM,成本更具有竞争力。」

　　采用75纳米技术的合格产品512Mb DDR2能够满足JEDEC定义的最高DDR2速度所需之效能需求,使用于高阶服务器和各种运算应用中,并展现出公司在75纳米之技术能力,可应用在未来的高速DRAM产品上。75奈米技术的推出,不仅对下一代之效能需求非常重要,亦可进一步改善奇梦达和南亚之成本架构。和之前的90纳米技术相比较,75纳米之制程架构亦可进一步缩小芯片尺寸,因此,每一片晶圆将会多增加40%之产出。