宏力半导体制造有限公司和ARM公司共同宣布，宏力半导体获得ARM7TDMI和ARM926EJ处理器以及相关的ARM Embedded Trace MacrocellTM（ETM9TM）片上调试外设，从而加入了ARM代工厂计划。这项授权协议标志着宏力半导体第一次获得ARM CPU的授权，这将帮助宏力半导体实现更快的片上系统设计和制造的上市时间。

　　这次授权协议是在去年九月宏力半导体获得ARM Artisan® 物理IP的基础上签订的。上次授权内容包括Sage-XTM标准单元库、通用I/O和内存发生器，用于支持宏力半导体的0.18微米和0.13微米工艺技术。（请参见2005年12月20日新闻稿：宏力半导体采用ARM物理IP扩展其0.18和0.13微米工艺）

　　通过这一新的代工厂计划授权，宏力半导体将可以充分利用ARM7TDMI 和 ARM926EJ处理器和ETM-9片上调试外设。根据代工厂计划的条款，双方的客户都可以快速整合及完成包含这两种芯片中任一款的SoC设计。ARM7TDMI处理器目前可在0.18微米工艺下提供，ARM926EJ处理器和ETM9 宏单元将首先在0.13微米工艺下提供，未来将在其他工艺下提供。