Predictions Software Ltd.公司宣布DFM一体化支持(DUF)工艺即校准良品率模型将被TSMC(台湾半导体制造公司)导入。 　 

　　定义每片晶片总模子数Gross Die Per Wafer(GDPW)的二个因子是每片晶片的芯片良品率和芯片数(由设计区域定义)。当一旦设计完成后良品率充当主要角色时,设计区域和良品率在设计阶段可得到平衡。DFM允许使用譬如通过复制(via duplication), 导线优(wire optimizations),和基于瑕疵的间距调整(defect-based spacing)等手段。现在DFM技术不必增加区域即可达到并获得最优的良品率。最大化的GDPW在一个典型的半导体产品寿命中可以节约成千上万美元.

　　传统上良品率改善已经很好地留给了加工厂的人们。但是,经常还有很多主要机会可以改变布局,以便处理瑕疵使之不导致良品率缺陷。在设计环境之内,以区域高效率的方式,在流片(Tape-out)之前,使用工艺校准良品率模型将关键区域和布局分析集成到主流设计流程中不仅能够辨认缺陷的数量,并且还能够减少这些缺陷.工艺校准良品率信息现在可以应加到半导体IP中,基于单元(cell-based)设计或顾客布局,模拟和混合信号设计中。