日厂东芝（Toshiba）执行常务董事暨东芝旗下Semiconductor社长室町正志日前重申,东芝拟扩大NAND型闪存（Flash）生产,欲从三星电子（Samsung Electronics）手中夺回市占霸主。为此,东芝计划在2007年度（2007年4月～2008年3月）以后,再增建4座厂,NAND型Flash的厂房总计将扩充至8座,预估所需的总投资额高达2.5兆日圆（约212.8亿美元）。

　    受惠于数字随身听、数字相机（DSC）等应用产品需求畅旺,东芝加速增产Flash脚步,扩大事业规模。据估计,至2008年度东芝半导体部门内的内存事业营收,将由2006年度的5,000亿日圆扩增为9,000亿日圆、甚至上看1兆日圆。东芝盼能在2008年度与合作伙伴新帝（SanDisk）连手攻下全球NAND型Flash市场40％的市占。

　    身为NAND型Flash发明厂商的东芝,至2001年之前,拥有市场半壁江山,独占市场鳌头,然随着三星势力逐渐扩张,现市占落居全球第二。室町正志表示,东芝时时刻刻想着重回市占宝座,在投入如此多的经营资源状况下,东芝决不会中途放弃。

　    东芝NAND型Flash量产据点的四日厂现有的Fab 1、Fab 2月产能为10万片（以8吋晶圆计）;Fab 3月产能经扩产后将达11万片（以12吋晶圆计）。已在2006年8月动土的Fab 4生产计划大致底定,东芝与新帝的总投资额约达6,000亿日圆,月产能最多达15万片。除此之外,东芝尚规划新增建4座厂,预估所需的总投资额达2.5兆日圆。

　   东芝自2006年5月起开始研拟Fab 5建厂事宜,其具体计划包括,将在2007年上半拍板定案,2009年开始量产。室町正志透露,为不让资源分散,东芝有意在Fab 5设厂的同一地点另再打造Fab 6、Fab 7、Fab 8。

      　对于三星曾提过将在2012年之前耗资330亿美元,新建7～8座12吋厂,及英特尔（Intel）、美光（Micron）等竞争对手增产的动作频频,室町正志指出,这是一场艰苦的角力战,各厂间的竞争会日趋激烈,呈现过度竞争的态势。

　    NAND型Flash市场规模虽持续放大,但价格的不确定因素成为厂商获利的一大隐忧,尤其是价格每年以40％的跌幅持续下滑,厂商不易掌握获利。另外,在各大厂不间断地大手笔投资下,一旦市况走软,供过于求的阴影将再度涌现。