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第38591篇:飞兆半导体推出40V MOSFET改进LCD的设计 |
| 发布时间:2007年5月21日 点击次数:460 |
| 来源: 作者: |
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互补型40VMOSFET器件FDD8424H,采用双DPAK封装,提供业界领先的散热能力,有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化,是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (BLU) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双SOIC (SO8) 封装的替代解决方案相比,双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外,FDD8424H在单一封装中集成了一个P沟道高端MOSFET和一个N沟道低端MOSFET,因而容许器件内共漏连接,从而简化电路板布局并缩短设计时间。 飞兆半导体通信和消费产品市务经理Mike Speed 表示：“飞兆半导体的FDD8424H使到显示器设计人员能够对逆变器设计的占位面积和热性能进行优化。相比传统的SO8 封装解决方案,双DPAK封装中优化的导通阻抗RDS(ON)和栅极电荷 (Qg) 增强了开关性能,因此能降低热耗及提高效率。而且,在驱动8个CCFL灯的背光逆变器中,FDD8424H可使外壳温度降低12%。” FDD8424H的主要特性包括： 优化RDS(ON)和栅极电荷 (Qg) 的组合,提供出色的开关性能 N沟道提供4.1C/W的同类最小热阻抗 (θJC),P沟道则为3.5 C/W 单一封装中集成半桥解决方案,能减小器件占位面积及降低系统总体成本 P沟道和N沟道MOSFET的共漏连接集成,能简化线路板布局 |
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