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具有±15kVESD保护的并行端口终端网络器件

发布时间:2006年5月11日 点击次数:239
来源:电子产品世界   作者:STMicroelectronics 公司 J.P.Proot
 

计算机和外设(如打印机)之间的一种边接是并行端口。为了提供双向和快速通信,并行端口接口已有增强型。新接口在IEEE1284中已详述,称之为增强并行端口(EPP)或扩展性能端口(ECP)。新外设如远程存储驱动、扫描仪、MP3播放机和机顶盒,现已连接到并行端口。

EMI标准

这种增强接口可处理数据交换高达2Mbytes/s。此频率需求新设计标准以满足电磁和射频干扰(EMI&RFI)要求(如FCC Part 15和CISPR 22版)。除EMI和RFI测试外,另一个在欧洲出现的标准,要求计算装置进行静电释放(ESD)灵敏度测试。

ST1284特性

ST1284是符合IEEE1284标准的高集成终端网络器件。它滤波PC内所产生的高频辐射,使可接受电平有较小的干扰。它的ESD保护高达±15kV,符合IEC61000-4-2所确定的最高电平。ST1284特性如下:

EMI滤波

·FCCPart 15Class A&B

·CISPR 22版Class A&B

阻抗终端

·至匹配电缆阻抗33Ω

ESD保护

·IEC61000-4-2 Leve14(±15kV)

集成上接电阻器

·2型可用2.2kΩ和4.7kΩ

串联电阻器

当采用高数据率时,终端需要增加数据交换速度。ST1284为终端提供串联电阻器(Rt)以匹配8条双向数据线和选通线的阻抗。选择33Ω值以符合IEEE1284(IEEE1284标定45Ω到55Ω电缆阻抗,而驱动器IC的正常阻抗大约为15Ω)标准。

上拉电阻器

为了保持与原来端口(采用集电极开路驱动器)的兼容性,ST1284具有上接电阻传送逻辑高电平。经多年实用建立的公共标准电阻器值为2.2kΩ或4.7kΩ。

EMI电容器

高频信号通过I/O端口线耦合进入系统(因为计算机系统I/O与电缆连接),这可做为天线产生辐射,导致对其他电子器件的干扰。ST1284器件的每条线都有EMI滤波电容器对EMI滤波。为了通过EMI验证测试,EMI电容器可用180pF或22pF。

表1列出ST1284的C、Rt和Rp数值。

特点

ST1284是封装在QSOP28中的集成无源和分立(IPD)器件(见图1),是用ST公司的专利ASD技术开发的。它可替代43个元件,使用户降低了成本和板大小。高集成与分立元件方法相比使寄生电感最小并且有更有效的衰减。ST1284是硅基解决方案,它具有与微处理器产品相同的可靠性。焊接减少,提高了可靠性能。图2和图3分别示出用分立元件和ST1284实现EMC依从并行端口电路。

表1 C,Rt他Rp值

型  号 Rt Rp C 封  装
ST1284-01A8 33 4.7k 180pF QSOP28
ST1284-02A8 33 2.2k 220pF QSOP28

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