本次研讨会吸引了三百多位来自全国各地的中芯国际的客户、芯片设计工程师、技术合作伙伴与供应商等的参与。中芯国际副总裁陈乃勇在开幕致词中回顾了中芯国际在过去一年中所取得的主要进展,中芯北京300mm厂90纳米逻辑产品已成功量产,65纳米制程技术正在积极研发中,预计将于2007年1月开始试生产。中芯还新增了一条300mm凸块生产线,而中芯国际的两座合资工厂---凸版中芯彩晶电子和封装测试厂也已经开始生产。

       中芯国际的策略合作伙伴SAIFUN半导体的业务发展副主席Ramy Langer在研讨会上介绍了由SAIFUN设计、采用中芯90纳米逻辑制程技术的2千兆DDF(双密度闪存)NNAD FLASH的进展情况。据Ramy Langer介绍,目前已产出工程样品,预计将于今年十二月份开始量产,明年将开始8Gbit 4bit/cell QuadNROM的开发。

       中芯国际在此次研讨会上与技术伙伴们交流了先进逻辑制程技术、混合信号、射频、SPICE 模型技术、存储器、嵌入式存储器技术、高压电路、感应器、影像技术等高端技术的现状及其发展趋势。超过30家中芯国际的厂商在技术研讨会上设立展台,展示了包括智能模块、单元库、EDA电子设计自动化工具等产品及封装测试、设计等服务。