富士通目前在日本三重县的Fab1厂,以90纳米工艺技术产制月产能1.5万片的12寸晶圆,而Fab 2厂则以65纳米工艺为主,当产能满载时可达2.5万片12寸晶圆的月产能。富士通也宣布,已经有10家客户采用该公司的65纳米工艺产品CS200、CS200A,但未来为持续发展更先进工艺技术,富士通期望寻求合作伙伴。

   　近几年富士通投入了数10亿美元在研发先进工艺上,不过,一向都是自行研发。2005年6月,富士通发表45纳米工艺规划,称为NCS（nano-clustering silica）技术,属于旋涂式（spin-on）技术,并有自行开发的半导体材质。富士通同时也正运用碳纳米管技术来取代部份的铜工艺导线,不过,为了成本考量,富士通不排除与其它业者合作的可能。

    　市调机构Gartner副总裁兼主分析师Bryan Lewis认为,富士通应该会在32纳米工艺寻求合作伙伴,毕竟富士通已自行开发45纳米工艺技术。他认为,该公司的挑战在于未来必须寻找够大的生产制造伙伴,一起进行开发,且最好是尚未与其它半导体业者进行深度联盟的厂商,如此才能整合共享2家公司的研发人员,并创造最大价值。