据了解,中芯国际兴建中的上海Fab 8厂预计2007年中期完工,研发中心在计划完工后,从北京12英寸厂搬回上海,协助新建成的Fab 8厂投入先进工艺开发,目前初步规划将以65纳米以下先进工艺为主,有可能成为中芯众多晶圆厂中,技术最先进的厂房。

　    中芯8日于上海举办年度技术研讨会,会中以0.13微米、90纳米先进工艺为主打重点,不过,由于日前与台积电侵权争议再起,因此本次技术研讨会格外受到外界瞩目,而开幕式也由中芯副总裁陈乃勇代替执行长张汝京致词。会场中受邀业者逾300多家,并有30多家设立摊位,年度盛会的声势似乎未受侵权案影响,也有中芯员工表示,尽管侵权案再起,但明显感受到,这次与上次不同,上回许多客户来电关切,但这次客户关切此事不如上次明显。

    　陈乃勇表示,过去1年中芯取得许多技术进展,北京12英寸厂90纳米工艺已成功量产,65纳米工艺也正积极研发中,将于2007年1月开始量产,中芯更强调

　   中芯为因应手机客户对先进工艺的要求,90纳米、65纳米工艺将会先推出低耗电工艺方案,约一个季度后,才会推出泛用型工艺。依据目前中芯北京12英寸厂已投入低耗电90纳米工艺的进度预估,第四季度90纳米泛用型工艺也将会进入量产阶段,研发团队已正进行最后确认工作。

　   不过,值得注意的是,中芯已兴建一阵时日的上海Fab 8厂,最快预计将在2007年中期完工,届时核心研发团队将从北京12英寸厂迁移回上海,据了解,极可能与中芯内部规划将Fab 8厂用为65纳米以下先进工艺开发之用,Fab 8厂将成为中芯众多晶圆厂中,工艺最先进的厂区。之前曾盛传中芯未来属意以Fab 8厂投入快闪存储器（Flash）生产。