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Qimonda“登峰造极”,欲推58纳米DRAM制造工艺技术 |
| 发布时间:2006年9月16日 点击次数:309 |
| 来源:E代电子 作者: |
内存制造商Qimonda AG的工程师日前表示,该公司计划在2006年12月旧金山举行的IEEE国际电子设备会议(IEDM)上,就58纳米DRAM制造工艺技术进行演讲报告。 Qimonda的研究人员预计将展示完整的58纳米过程技术,他们曾经用将此技术于制造512Mb容量DRAM,工作电压为1.2V和1.35V之间,存取时间支持每通道数据率3.2Gbps。根据报告摘要显示,这个DRAM技术具有一个扩展的U形单元结构,一种金属绝缘体硅沟状电容,带有不导电的高k门电路,k=2.8的绝缘体用于末端互连。 目前,生产DRAM内存具有实用价值的最先进工艺为70纳米至80纳米范围。三星电子宣称,开始在2006年8月使用80纳米工艺批量生产1GB容量DRAM内存。 Qimonda于2006年8月从母公司英飞凌中分离出来,将内存制造业务通过IPO而成立。 （来源：电子工程专辑） |
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