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光刻专家评选浸没式和EUV光刻技术 |
| 发布时间:2006年9月13日 点击次数:724 |
| 来源: 作者:Aaron Hand, Semiconductor International责任编辑 |
 根据5月份在温哥华举行的受邀光刻技术论坛披露的报告,最新发布的国际半导体技术蓝图(ITRS)中,半导体厂商和供应商就光刻的前景和未来达成了普遍的共识。对各项最新的光刻技术的研究表明,193纳米浸没式光刻技术将成为量产45纳米节点产品的首选,而EUV（极紫外）光刻技术将在32纳米节点上大展拳脚。同时,Semiconductor International和Sematech密切合作共同在互联网上举行了新闻发布会。网络新闻发布会由光刻技术论坛执行主席Bernie Roman、大会主席Michael Lercel以及Sematech光刻技术部门主管等人共同主持。发布会还设立了一个问答专栏,其中包括了许多光刻领域的专家—如Intel光刻区域固定资产拓展部主管Janice Golda、Freescale半导体先进光学光刻组成员Will Conley等人,就相关领域细节问题进行了讨论。 当问及在2009年哪种光刻技术会成为半导体制造公司生产高端芯片的主流技术时,约40%的被调研者选择采用单次曝光的193纳米浸没式光刻技术实现栅电极和接触孔工艺层;另一些被调研者则看好双重曝光的193纳米湿法/干法光刻技术。关于2012年的32纳米技术,约37%的被调研者选择了极紫外光刻技术,同时双重曝光的193纳米湿法光刻技术也是选择之一。而对于2015年的22纳米技术,极紫外光刻技术具有压倒性的优势,约60%被调研者看好这项技术。 现在普遍受到关注的问题是在2009年选择了193纳米浸没式光刻技术生产产品的半导体生产商如何实现技术的向下延伸。然而,相关的调研结果却让人惊讶,那些能够延伸浸没式光刻技术使用极限的相关研究—如高折射率的浸没液体、光刻胶以及光学镜头材料等受到了冷遇。Roman指出调研显示高折射率浸没式光学技术缺少相应的支持者。“目前许多高折射率材料领域的研究正如火如荼的进行着,毫无疑问这表明这些技术的背后存在着大量的市场需求,似乎这些研究并不会嘎然而止,但是不管怎样这次调研结果却不足以反映上述现象,”他说。而且他还指出：在论坛开幕前对终端用户的预调研结果显示高折射率浸没式光刻技术获得了更多的支持率。
“我想调研结果没有很好的反映实际需求的原因主要是信息不够透明,” Conley说：“我承认许多设备供应商对于他们是否将生产使用高折射率浸没液体的新型浸没式光刻系统的态度很明确。但在成本、可操作性以及新材料的稳定性等方面还存在许多的顾虑。” 极紫外光刻技术的可延展性是它被看好并可能在2012年和以后的时间里成为半导体生产的主流光刻技术的主要原因之一。对于这项技术而言,最主要的顾虑是成本问题,在这一点上,目前芯片制造商和设备供应商并没有达成一致。“光刻设备供应商并不认为这会是一个大问题,” Roman在此次光刻技术论坛的报告中说道。随后在网络新闻发布会的问答专栏里,他对这一问题做了更为详尽的解释：“总体而言,站在设备的角度,设备供应商正在着手解决许多目前用红色标注的关键性问题。并且在解决这些问题时,他们能够采用恰当的工程解决方案。” Golda补充道：“如果你想降低成本,那么就必须在提高光刻设备的产能、光源的寿命以及降低掩模版的成本等关键因素方面下一番功夫。我想在这里你可以感受到专家们对极紫外光刻技术在2012年投入实用的信心。这项技术的每个环节都在不断进步,人们能够看见它的日新月异。” 在此次光刻论坛中,关于各种双重曝光技术与会的专家各抒己见,但目前还不能达成一致。“可以肯定地说,这项技术是一种确实可行的解决方案,”Lercel说：“但是如果你进一步进行调研,特别是在针对终端用户的调研后,这项技术的种种顾虑就会凸现出来。尤其在成本方面的忧虑,调研结果中就得到了真实的反映。” |
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