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台积电联电开发45纳米生产工艺 |
| 发布时间:2006年6月29日 点击次数:157 |
| 来源:太平洋电脑网 作者: |
台湾的半导体厂商台积电的副总裁jack sun表示,公司最快将在2007年第三季度开始采用45纳米的生产工艺进行批量生产。此外市场消息指出,台湾联电目前也在致力于发展45纳米的生产工艺。 sun指出,台积电已经成功的研发了45纳米的系统芯片开发平台,并在努力让公司成为头三家成功的采用45纳米生产工艺的厂商之一。 而目前,ibm公司是唯一一家突破这一里程碑的厂商。公司此前宣称已经成功的开发了29纳米的生产工艺。 台积电近来在发展自己的先进生产工艺上表现得十分努力,公司和asml公司合作开发的沉浸光刻技术(immersion lithography technology),在今后也许将成为主流技术,只要业界对生产工艺的需求向比45纳米还先进的技术转移时。台积电预期在2009年可以采用32纳米的生产工艺进行批量生产。 sun表示,在芯片领域中,每一代的新技术都要比上一代的技术小巧大概40%到50%,而性能表现上提升60%同时效率提高150%。 与此同时台湾联电也在努力的向45纳米生产工艺转型。目前已经有一家主要的idm厂商和两家ic设计厂商表示有兴趣和台湾联电一起在这一研发中展开合作。 |
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