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Hynix与ST在中国合建一流存储器前端制造厂

发布时间:2004年12月6日 点击次数:178
来源:电子产品世界   作者:
 

意法半导体与韩国现代半导体今天宣布双方签署了在中国江苏省无锡市合资建立一家存储器前端制造厂的合资企业协议书,这个专门用于制造DRAMNAND闪存的全新的晶圆制造厂将有助于现代半导体(HynixDRAM业务的稳定增长,而意法半导体公司可通过该厂建立其NAND闪存的产能。该合资公司同时可有效地拓展成功的NAND闪存制程/产品开发,并加强两家公司间的生产制造能力。

工厂选址无锡是因为该地区交通便利,紧临上海,可提供大量经验丰富的技术人员及工人,基础设施完善。这个先进的晶圆制造厂以及超过18,000平米的洁净厂房配套设施计划2005年年初开始建设,竣工后,合资企业将雇用大约1500名员工,运营初期将装配两条先进技术的生产线,其中8英寸晶圆生产线拟定于2006年开始量产,而12英寸生产线将从2007年开始量产,每条生产线的月产能为20000片。新制造厂将会增强两家公司尖端技术的领先优势,使合资双方获得成本竞争力极高的制造能力,更加高效地服务高速增长的中国市场。

目前中国市场占世界半导体市场的14%,在2003年到2008年期间,中国市场的年复合增长率预计会达到20%以上;而对于ST来说,在中国市场的销售收入已达到15亿美元。因为丰富的闪存产品组合(其中包括1千兆的NAND闪存IC),ST存储器IC在中国的销售额正在快速增长,特别是在电信市场增长最快。Hynix在中国的销售额也占据了该公司全球销售的一大部分,这归功于Hynix多年打造的强大的品牌优势。


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