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NEC开发出晶圆级封装技术,支持3D互连

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       NEC电子公司近期开发出一种晶圆级封装技术,据称可在图像处理系统所用的逻辑和存储器裸片之间,允许超过1,000个的三维(3D)互连。该公司称,这些连接能够支持高达100Gbps的传输速率,而且可以降低功耗。该方法可用于高端手机、视频游戏机或数字电视之中,NEC电子美国公司的专用系统级芯片策略业务部总监Steven Kawamoto这样表示。

       据NEC透露,在完成可靠性测试之后,该技术预计将于2007年第一季度走向市场。这种系统级封装(SiP)方法叫作Smafti,它采用7微米厚的聚酰亚胺介电层和15微米宽的铜互连,以此构建对中介层(interposer)布线的追踪,从而产生间距为50微米的纵向互连。

       该封装采用塑料化合物,典型尺寸是每边15毫米

。NEC电子美国公司的资深工程经理Han Park介绍,Smafti采用了中介层,可消除存储器和逻辑裸片之间的热失匹。这些裸片在晶圆级进行探测,并附着在该中介层上。通过采用一种专有的屏蔽(screening)步骤,可确保获得最大数量的已知合格裸片。

       该方法采用光刻图案和一种半掺杂工艺来生成晶圆级连线。裸片附着在连线上并被封装,而且硅晶圆的其余部分用一种NEC目前还不想透露的技术来除去,Park表示。接下来,第二个芯片将被附着在中介层上。

       已完成的封装采用球栅阵列(BGA)来连接至系统板,间距为500微米。NEC公司期望把Smafti方法用于NEC旗下的3G手机事业群,以及外面的大客户,Kawamoto表示。

来源:半导体国际   作者:  2006/10/9 0:00:00
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