超捷半导体公司(SST)和台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC公司)日前签订了一份技术开发和授权合同，将提供世上首个可授权90纳米嵌入式闪存技术。

      根据合同，台积电将授权超捷下一代90纳米SuperFlash技术，作为台积电嵌入式闪存组合的一部分。

      超捷先进的90纳米SuperFlash技术满足了各种应用的需要，如64位MCU内核，高速ASIC和多媒体IC等。该技术采用了分割门、SSI擦写和poly-erase内存电池，可进行真正的逻辑VDD读写操作，从而满足了低功率和高密度应用的要求。

      采用该90纳米嵌入式闪存技术的样品将在2007年问世。