据悉,上周国内DRAM现货价上周重挫15%后,256M DDR价格已跌破4美元。在各经销商备料意愿降低的情况下,业者预期,年底256M DDR可能会跌破3.5美元。

　　据中国IC交易网报价,海力士上周在国内市场倒货,256M DDR模块价格跌至人民币277元,相当于33美元,每颗DRAM价格跌至3.9美元,部分品牌报价一周来下挫15%。而现货市场上周结束时,DRAM 256Mb DDR400现货价已跌破4.5美元,跌幅重达 2.05%。其他产品如DDR 333跌1.27%,DDR 226更是暴跌3.24%,均创下近半年来的单日最大跌幅。

　　而与此同时,目前现货市场各经销商库存水位增高,近两周来没有下单,需求不强劲更加加剧了DDR价格的跌势头。据了解,组装市场在备货充足下,近期出现需求转弱迹象,但DRAM大厂三星、 Hynix、力晶仍不断大举释出未完整测试 (UTT)DRAM,造成DRAM现货价格松动,除了256Mb UTT芯片价格已跌至 4美元附近,DDR 400自高点4.82美元下跌以来,1个月的跌幅已达7%。

　　对此三星预估,动态随机存取内存DRAM需求将在今年触顶,四季度价格将挫跌近10%。DRAM需求在2006年上半年拉回之前,明年将呈现衰退。

　　11月8日香港市场行情显示,DDR现货市场表现仍然平淡,其价格出现轻微下调,成交量依然偏低。由于DDR价格走势仍未明朗,目前通路商都不愿意放出或是买进库存,当天32Mx8 DDR266/ 333/ 400 Hynix价格分别为$4.10/ $4.24/ $4.45。

　　至于深圳市场,由于近期价格跌幅较大,同时也没有正面的利好消息,市场各商家都不愿轻易进场交易,市场整体成交量有限。各商家的观望心态也进一步说明目前市场的微妙性,主流品牌Hynix DDR256M 266在￥269窄幅波动,DDR256 333/400尾市分别收于￥282/￥308。预计近期DRAM市场表现将不再乐观。